מספר מוצר של יצרן:
TSM1NB60SCT A3G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM1NB60SCT A3G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
מלאי:
12898138
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM1NB60SCT A3G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
500mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
138 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM1NB60SCT A3GTB
TSM1NB60SCT A3GCT-DG
TSM1NB60SCT A3GTB-DG
TSM1NB60SCTA3GTB
TSM1NB60SCTA3GCT
TSM1NB60SCT A3GCT
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STQ2HNK60ZR-AP
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
9835
DiGi מספר חלק
STQ2HNK60ZR-AP-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMPH4029LFGQ-13
MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
DMP210DUFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
